IRF7749L1TRPBF Technische Spezifikationen

IRF7749L1TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 15
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.3W Ta 125W Tc
Turn On Delay Time 17 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 120A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12320pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 78 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Input Capacitance 12.32nF
Rds On Max 1.5 mΩ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric L8
Supplier Device Package DIRECTFET L8
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Max Operating Temperature 175°C
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Channels 1
Power Dissipation 3.3W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A Ta 200A Tc
Rise Time 43ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 39 ns
Continuous Drain Current (ID) 200A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Drain to Source Resistance 1.1mOhm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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