IRF7751 Technische Spezifikationen

IRF7751 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Voltage - Rated DC -30V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -4.5A
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID) 4.5A
Drain-source On Resistance-Max 0.035Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish MATTE TIN
Subcategory Other Transistors
Max Power Dissipation 1W
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35m Ω @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1464pF @ 25V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
JEDEC-95 Code MO-153AA
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
FET Feature Logic Level Gate
Lead Free Contains Lead
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