IRF7752 Technische Spezifikationen

IRF7752 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish MATTE TIN
HTS Code 8541.29.00.95
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 1W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 4.6A
DS Breakdown Voltage-Min 30V
Power Dissipation-Max (Abs) 1W
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature HIGH RELIABILITY
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30m Ω @ 4.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 861pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V
JEDEC-95 Code MO-153AA
Drain-source On Resistance-Max 0.03Ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature Logic Level Gate
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