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IRF7756TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
Supplier Device Package 8-TSSOP
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Operating Temperature 150°C
Max Power Dissipation 1W
Number of Elements 2
Power Dissipation 1W
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Gate to Source Voltage (Vgs) 8V
Dual Supply Voltage -12V
FET Feature Logic Level Gate
Rds On Max 40 mΩ
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Part Status Obsolete
Termination SMD/SMT
Min Operating Temperature -55°C
Base Part Number IRF7756PBF
Element Configuration Dual
Power - Max 1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Continuous Drain Current (ID) -4.3A
Drain to Source Breakdown Voltage -12V
Input Capacitance 1.4nF
Drain to Source Resistance 40mOhm
Nominal Vgs -900 mV
RoHS Status RoHS Compliant
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IRF7700 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3897
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