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IRF7759L2TRPBF
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IRF7759L2TRPBF Technische Spezifikationen
IRF7759L2TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 11 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2009 |
JESD-609 Code | e1 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | BOTTOM |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 3.3W Ta 125W Tc |
Power Dissipation | 125W |
Turn On Delay Time | 18 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 26A Ta 375A Tc |
Rise Time | 87ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 80 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0023Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 640A |
Height | 508μm |
Width | 7.112mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | DirectFET™ Isometric L8 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 9 |
Terminal Finish | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
JESD-30 Code | R-XBCC-N9 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3m Ω @ 96A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12222pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 33 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 26A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 75V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 257 mJ |
Length | 9.144mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRF7759L2TRPBF Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für IRF7759L2TRPBF
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Datenblätter
Andere schließen ein "IRF77" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IRF77'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IRF7700 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 3897 |
IRF7700GTRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2500 |
IRF7700TR | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2548 |
IRF7700TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 4000 |
IRF7701 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 24000 |
IRF7701GTRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 5000 |
IRF7701TR | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 8465 |
IRF7701TR MOS | IR | Spezialisierte heiße ICs | 2550 |
IRF7701TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 4303 |
IRF7701TRPBF. | IR | Spezialisierte heiße ICs | 8500 |
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IRF7759L2TRPBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRF7759L2TRPBF Referenzpreis. IRF7759L2TRPBF Parameter, IRF7759L2TRPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRF7759L2TRPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRF7759L2TRPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRF7759L2TRPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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