IRF7759L2TRPBF Technische Spezifikationen

IRF7759L2TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 11
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2009
JESD-609 Code e1
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position BOTTOM
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.3W Ta 125W Tc
Power Dissipation 125W
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 26A Ta 375A Tc
Rise Time 87ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 80 ns
Threshold Voltage 3V
Drain-source On Resistance-Max 0.0023Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 640A
Height 508μm
Width 7.112mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric L8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 9
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-XBCC-N9
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3m Ω @ 96A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12222pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 33 ns
Continuous Drain Current (ID) 26A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 75V
Avalanche Energy Rating (Eas) 257 mJ
Length 9.144mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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