IRF7769L1TRPBF Technische Spezifikationen

IRF7769L1TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 15
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Configuration Single
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5m Ω @ 74A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11560pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 92 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0035Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 260 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric L8
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 9
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position BOTTOM
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.3W Ta 125W Tc
Power Dissipation 3.3W
Turn On Delay Time 44 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A Ta 124A Tc
Rise Time 32ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 41 ns
Continuous Drain Current (ID) 124A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 375A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 500A
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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