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IRF7780MTRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 75V 89A

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 96W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7m Ω @ 53A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6504pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Continuous Drain Current (ID) 89A
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric ME
Packaging Tape & Reel (TR)
Series StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 89A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Vgs (Max) ±20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRF7700 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3897
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IRF7700TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4000
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IRF7701TRPBF. IR Spezialisierte heiße ICs 8500

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