IRF8313TRPBF Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 8
Resistance 15.5MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 8.3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Turn-Off Delay Time 8.5 ns
Threshold Voltage 1.8V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 1.8 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Max Power Dissipation 2W
Base Part Number IRF8313PBF
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5m Ω @ 9.7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 15V
Rise Time 9.9ns
Fall Time (Typ) 4.2 ns
Continuous Drain Current (ID) 9.7A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 46 mJ
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRF830 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 25373
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IRF830 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2499
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IRF830 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 571
IRF830-HF MOS APEC Spezialisierte heiße ICs 88722
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