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IRF8327STRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 14A SQ

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Published 2011
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3m Ω @ 14A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1430pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5.3 ns
Continuous Drain Current (ID) 60A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 14A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Avalanche Energy Rating (Eas) 62 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case DirectFET™ Isometric SQ
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position BOTTOM
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.2W Ta 42W Tc
Power Dissipation 42W
Turn On Delay Time 7.8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A Ta 60A Tc
Rise Time 8.9ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 9.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0073Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 110A
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF830 STMicroelectronics Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 25373
IRF830 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 25384
IRF830 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2499
IRF830 IC IR Spezialisierte heiße ICs 949
IRF830 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 571
IRF830-HF MOS APEC Spezialisierte heiße ICs 88722
IRF8301MTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5000
IRF8301MTRPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF8302MTR1PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2766
IRF8302MTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 56198

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