IRF8714TRPBF Technische Spezifikationen

IRF8714TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 8.7MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 10 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A Ta
Rise Time 9.9ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 65 mJ
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.7m Ω @ 14A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1020pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5 ns
Continuous Drain Current (ID) 14A
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Nominal Vgs 1.8 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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