IRF9317TRPBF Technische Spezifikationen

IRF9317TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.6m Ω @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2820pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 92nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 160 ns
Threshold Voltage -1.8V
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
Nominal Vgs -1.8 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2009
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 10.2MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 19 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A Ta
Rise Time 64ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 120 ns
Continuous Drain Current (ID) -16A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 330 mJ
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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