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IRF9328TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9m Ω @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1680pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 80 ns
Threshold Voltage -1.8V
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
Height 1.75mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 11.9MOhm
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 19 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Tc
Rise Time 57ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 66 ns
Continuous Drain Current (ID) -12A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 96A
Nominal Vgs -1.8 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRF9310 IR Spezialisierte heiße ICs 2390
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