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IRF9332TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Power Dissipation 2.5W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5m Ω @ 9.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1270pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 73 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Radiation Hardening No
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.8A Ta
Rise Time 47ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 58 ns
Continuous Drain Current (ID) 9.8A
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRF9310 IR Spezialisierte heiße ICs 2390
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