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IRF9335PBF Technische Spezifikationen

IRF9335PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9.7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 10μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A Ta
Rise Time 19ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) -5.4A
JEDEC-95 Code MS-012AA
Drain-source On Resistance-Max 0.059Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 43A
Nominal Vgs -1.8 V
Length 4.98mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2004
Part Status Discontinued
Number of Terminations 8
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.5W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59m Ω @ 5.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 386pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 16 ns
Threshold Voltage -1.8V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
Recovery Time 21 ns
Height 1.57mm
Width 3.99mm
REACH SVHC No SVHC
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRF9310 IR Spezialisierte heiße ICs 2390
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