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IRF9335TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 5.4A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9.7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 10μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A Ta
Rise Time 19ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 15 ns
Continuous Drain Current (ID) -5.4A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 43A
Height 1.4986mm
Width 3.9878mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 8
Resistance 59MOhm
Subcategory Other Transistors
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta
Power Dissipation 2.5W
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 59m Ω @ 5.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 386pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 16 ns
Threshold Voltage -1.8V
Drain to Source Breakdown Voltage -30V
Nominal Vgs -1.8 V
Length 4.9784mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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