IRF9530NSPBF Technische Spezifikationen

IRF9530NSPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 3.8W Ta 79W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200m Ω @ 8.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1998
Part Status Discontinued
ECCN Code EAR99
Reach Compliance Code not_compliant
FET Type P-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Vgs (Max) ±20V
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IRF9510 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1352
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IRF9510L Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2765
IRF9510L Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2719
IRF9510NPBF IR Spezialisierte heiße ICs 5500
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IRF9510PBF Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
IRF9510S Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 22300
IRF9510S Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 22300

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