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IRF9910TR Technische Spezifikationen
MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / MOSFETs Transistor Arrays |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2004 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.4m Ω @ 10A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
JEDEC-95 Code | MS-012AA |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0134Ohm |
DS Breakdown Voltage-Min | 20V |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
FET Feature | Logic Level Gate |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | HEXFET® |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 8 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-G8 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
Power - Max | 2W |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.55V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A 12A |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 10A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 83A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 33 mJ |
Power Dissipation-Max (Abs) | 2W |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
IRF9910TR Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für IRF9910TR
-
Datenblätter
Andere schließen ein "IRF99" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IRF99'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IRF9910 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 2291 |
IRF9910 | Infineon Technologies | MOSFETs Transistor Arrays | |
IRF9910PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 33663 |
IRF9910PBF | Infineon Technologies | MOSFETs Transistor Arrays | |
IRF9910PBF | Rochester Electronics, LLC | MOSFETs Transistor Arrays | |
IRF9910PBF MOS | IR | Spezialisierte heiße ICs | 14232 |
IRF9910TR | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 2724 |
IRF9910TRPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | 65472 |
IRF9910TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs Transistor Arrays | |
IRF9910TRPBF MOS | IR | Spezialisierte heiße ICs | 3529 |
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IRF9910TR Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRF9910TR Referenzpreis. IRF9910TR Parameter, IRF9910TR Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRF9910TR Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRF9910TR Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRF9910TR Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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