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IRF9Z34NSTRRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100m Ω @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 620pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 19A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 68A
Avalanche Energy Rating (Eas) 180 mJ
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 1997
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.8W Ta 68W Tc
Case Connection DRAIN
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Vgs (Max) ±20V
Drain-source On Resistance-Max 0.1Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 55V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRF9Z10 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3277
IRF9Z10 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 13433
IRF9Z10PBF Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 6246
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