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IRFB23N20DPBF
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IRFB23N20DPBF Technische Spezifikationen
IRFB23N20DPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 14 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Resistance | 100MOhm |
Voltage - Rated DC | 200V |
Current Rating | 24A |
Power Dissipation-Max | 3.8W Ta 170W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100m Ω @ 14A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1960pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 16 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 24A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 200V |
Dual Supply Voltage | 200V |
Nominal Vgs | 5.5 V |
Length | 10.54mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2000 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 170W |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A Tc |
Rise Time | 32ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 26 ns |
Threshold Voltage | 5.5V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 96A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 250 mJ |
Height | 4.69mm |
Width | 4.699mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Contains Lead, Lead Free |
IRFB23N20DPBF Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für IRFB23N20DPBF
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Datenblätter
Andere schließen ein "IRFB2" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IRFB2'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IRFB20N50K | IR | Spezialisierte heiße ICs | 1219 |
IRFB20N50KPBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2960 |
IRFB20N50KPBF | Vishay / Siliconix | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2423 |
IRFB20N50KPBF IC | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 21210 |
IRFB20N50KPBF MOS | Vishay Precision Group | Spezialisierte heiße ICs | 1337 |
IRFB23N15D | IR | Spezialisierte heiße ICs | 18641 |
IRFB23N15DPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 5020 |
IRFB23N15DPBF | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IRFB23N15DPBF. | IR | Spezialisierte heiße ICs | 45 |
IRFB23N20D | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 1487 |
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IRFB23N20DPBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRFB23N20DPBF Referenzpreis. IRFB23N20DPBF Parameter, IRFB23N20DPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFB23N20DPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFB23N20DPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFB23N20DPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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