IRFB3207ZPBF Technische Spezifikationen

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Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 4.1MOhm
Voltage - Rated DC 75V
Current Rating 170A
Power Dissipation-Max 300W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6920pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Turn-Off Delay Time 55 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 670A
Recovery Time 54 ns
Height 9.017mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2006
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 300mW
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 68ns
Vgs (Max) ±20V
Continuous Drain Current (ID) 170A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 75V
Dual Supply Voltage 75V
Nominal Vgs 4 V
Length 10.66mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRFB3004 IR Spezialisierte heiße ICs 25367
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