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IRFB3607PBF Technische Spezifikationen
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 12 Weeks |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | Through Hole |
Resistance | 9MOhm |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Power Dissipation-Max | 140W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9m Ω @ 46A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3070pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 96 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 80A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Drain to Source Breakdown Voltage | 75V |
Recovery Time | 50 ns |
Height | 9.017mm |
Width | 4.82mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2008 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 140W |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 100μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A Tc |
Rise Time | 110ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 43 ns |
Threshold Voltage | 4V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Dual Supply Voltage | 75V |
Nominal Vgs | 4 V |
Length | 10.6426mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRFB3607PBF Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "IRFB3" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IRFB3'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IRFB3004 | IR | Spezialisierte heiße ICs | 25367 |
IRFB3004G | IR | Spezialisierte heiße ICs | 18829 |
IRFB3004GPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2746 |
IRFB3004PBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 25345 |
IRFB3004PBF | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IRFB3004PBF MOS | IR | Spezialisierte heiße ICs | 660 |
IRFB3006 | IR | Spezialisierte heiße ICs | 32629 |
IRFB3006G | IR | Spezialisierte heiße ICs | 32764 |
IRFB3006GPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 505 |
IRFB3006GPBF | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren |
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IRFB3607PBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRFB3607PBF Referenzpreis. IRFB3607PBF Parameter, IRFB3607PBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFB3607PBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFB3607PBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFB3607PBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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