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IRFB38N20DPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 320W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43A Tc
Rise Time 95ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 29 ns
Threshold Voltage 5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Dual Supply Voltage 200V
Recovery Time 240 ns
Height 9.017mm
Width 4.826mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2002
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 54Ohm
Voltage - Rated DC 200V
Current Rating 38A
Power Dissipation-Max 3.8W Ta 300W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54m Ω @ 26A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 47 ns
Continuous Drain Current (ID) 44A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Avalanche Energy Rating (Eas) 460 mJ
Nominal Vgs 5 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRFB3004 IR Spezialisierte heiße ICs 25367
IRFB3004G IR Spezialisierte heiße ICs 18829
IRFB3004GPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2746
IRFB3004PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 25345
IRFB3004PBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRFB3004PBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 660
IRFB3006 IR Spezialisierte heiße ICs 32629
IRFB3006G IR Spezialisierte heiße ICs 32764
IRFB3006GPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 505
IRFB3006GPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren

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IRFB38N20DPBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRFB38N20DPBF Referenzpreis. IRFB38N20DPBF Parameter, IRFB38N20DPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFB38N20DPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFB38N20DPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFB38N20DPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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