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IRFB4110GPBF Technische Spezifikationen

IRFB4110GPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 370W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9620pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 88 ns
Continuous Drain Current (ID) 180A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain-source On Resistance-Max 0.0045Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 670A
Height 16.51mm
Width 4.826mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 370W
Turn On Delay Time 25 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 67ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 78 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Nominal Vgs 4 V
Length 10.668mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRFB4019 IR Spezialisierte heiße ICs 1366
IRFB4019PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5375
IRFB4019PBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRFB4019PBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 348
IRFB4020 IR Spezialisierte heiße ICs 1362
IRFB4020PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1480
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IRFB4030 IR Spezialisierte heiße ICs 2596
IRFB4103 IR/VISHAY Spezialisierte heiße ICs 19000
IRFB4103PBF IR Spezialisierte heiße ICs 6820

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IRFB4110GPBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRFB4110GPBF Referenzpreis. IRFB4110GPBF Parameter, IRFB4110GPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFB4110GPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFB4110GPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFB4110GPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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