IRFB4137PBF Technische Spezifikationen

IRFB4137PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Resistance 69MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 341W Tc
Power Dissipation 341W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A Tc
Rise Time 23ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 34 ns
Threshold Voltage 5V
Drain to Source Breakdown Voltage 300V
Length 10.67mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 18 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69m Ω @ 24A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5168pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 125nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 20 ns
Continuous Drain Current (ID) 38A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 9.02mm
Width 4.83mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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IRFB4137PBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRFB4137PBF Referenzpreis. IRFB4137PBF Parameter, IRFB4137PBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFB4137PBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFB4137PBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFB4137PBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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