IRFB4410ZPBF Technische Spezifikationen

IRFB4410ZPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 9MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) 250
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 230W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9m Ω @ 58A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4820pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 57 ns
Continuous Drain Current (ID) 96A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain Current-Max (Abs) (ID) 97A
Dual Supply Voltage 100V
Recovery Time 57 ns
Nominal Vgs 4 V
Length 10.6426mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Terminal Finish MATTE TIN OVER NICKEL
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 230W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 97A Tc
Rise Time 52ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 43 ns
Threshold Voltage 2V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 242 mJ
Max Junction Temperature (Tj) 175°C
Height 19.8mm
Width 4.82mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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