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IRFB59N10DPBF Technische Spezifikationen

IRFB59N10DPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2000
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 25mOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 250
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25m Ω @ 35.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2450pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 114nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 59A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Nominal Vgs 5.5 V
Width 4.69mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Voltage - Rated DC 100V
Terminal Position SINGLE
Current Rating 59A
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 3.8W Ta 200W Tc
Power Dissipation 200W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 59A Tc
Rise Time 90ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 20 ns
Threshold Voltage 5.5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Dual Supply Voltage 100V
Height 8.763mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRFB52N150D IR Spezialisierte heiße ICs 50
IRFB52N15D IR Spezialisierte heiße ICs 32675
IRFB52N15DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 977
IRFB52N15DPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRFB52N15DPBF. IR Spezialisierte heiße ICs 2622
IRFB52N15DPBF. MOS IR Spezialisierte heiße ICs 462
IRFB5615 I Spezialisierte heiße ICs 25445
IRFB5615PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5403
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IRFB5620 IR Spezialisierte heiße ICs 2480

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IRFB59N10DPBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRFB59N10DPBF Referenzpreis. IRFB59N10DPBF Parameter, IRFB59N10DPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFB59N10DPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFB59N10DPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFB59N10DPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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