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IRFB7440GPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N CH 40V 120A TO220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
Part Status Not For New Designs
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 208W Tc
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4730pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 135nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Continuous Drain Current (ID) 120A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3
Packaging Tube
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Configuration Single
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRFB7336 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 25252
IRFB7336PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 25328
IRFB7347 International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 25383
IRFB7347PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Spezialisierte heiße ICs 25431
IRFB7374 IR Spezialisierte heiße ICs 13342
IRFB7430 IR Spezialisierte heiße ICs 660
IRFB7430GPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2774
IRFB7430PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4518
IRFB7430PBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRFB7434 IR Spezialisierte heiße ICs 25472

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