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IRFH4226TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 25V 70A PQFN 5X6

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2014
Part Status Obsolete
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Base Part Number IRFH4226
Power Dissipation-Max 3.4W Ta 46W Tc
Turn On Delay Time 11 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4m Ω @ 30A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 13V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Series FASTIRFET™, HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Power Dissipation 3.4W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A Ta 70A Tc
Rise Time 35ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 8.1 ns
Continuous Drain Current (ID) 30A
RoHS Status RoHS Compliant
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