IRFH7004TRPBF Technische Spezifikationen

IRFH7004TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 5
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
Part Status Active
Number of Terminations 5
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Power Dissipation-Max 156W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6419pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 194nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 73 ns
Threshold Voltage 3V
DS Breakdown Voltage-Min 40V
Height 850μm
Width 5mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-VQFN Exposed Pad
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 156W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A Tc
Rise Time 51ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 49 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Nominal Vgs 3 V
Length 6mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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