IRFH8303TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 100A PQFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Subcategory FET General Purpose Power
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Configuration Single
Power Dissipation-Max 3.7W Ta 156W Tc
Turn On Delay Time 21 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.1m Ω @ 50A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7736pF @ 24V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 179nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 65 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Power Dissipation 3.7W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 43A Ta 100A Tc
Rise Time 91ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 48 ns
Threshold Voltage 1.7V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 43A
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRFH8201PBF IR Spezialisierte heiße ICs 528
IRFH8201TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4582
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IRFH8201TRPBF IC IR Spezialisierte heiße ICs 637
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IRFH8202TRPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRFH8303PBF IR Spezialisierte heiße ICs 44
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