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IRFHM8337TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
Part Status Obsolete
Number of Terminations 5
Resistance 9.4mOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 25μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A Ta
Rise Time 11ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 9.9 ns
Threshold Voltage 1.8V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 35A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 94A
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
JESD-30 Code S-PDSO-F5
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 25W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.4m Ω @ 12A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 755pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.1nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 5.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 12A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRFHM3911 IR Spezialisierte heiße ICs 50232
IRFHM3911TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1960
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IRFHM4231TRPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRFHM4231TRPBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 51495
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