IRFL024ZTRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Voltage - Rated DC 55V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 2.8W
Turn On Delay Time 7.8 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.1A Ta
Rise Time 21ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 30 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Nominal Vgs 4 V
Length 6.6802mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 4
Resistance 57.5MOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating 1A
JESD-30 Code R-PDSO-G4
Power Dissipation-Max 1W Ta
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 57.5m Ω @ 3.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 340pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 23 ns
Continuous Drain Current (ID) 5.1A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 55V
Height 1.4478mm
Width 3.7mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
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IRFL014 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 49875
IRFL014 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10364
IRFL014 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 955
IRFL014 N IR Spezialisierte heiße ICs 30500
IRFL014E IR Spezialisierte heiße ICs 1907
IRFL014N IR Spezialisierte heiße ICs 14097
IRFL014NE IR Spezialisierte heiße ICs 493
IRFL014NETR IR Spezialisierte heiße ICs 2454
IRFL014NPB IR Spezialisierte heiße ICs 494
IRFL014NPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3358

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