IRFP4229PBF Technische Spezifikationen

IRFP4229PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Published 2006
Part Status Active
Number of Terminations 3
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 310mW
Turn On Delay Time 25 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44A Tc
Rise Time 27ns
Vgs (Max) ±30V
Turn-Off Delay Time 44 ns
Threshold Voltage 5V
Gate to Source Voltage (Vgs) 30V
Dual Supply Voltage 250V
Nominal Vgs 5 V
Length 15.87mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination Through Hole
Resistance 46MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Power Dissipation-Max 310W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46m Ω @ 26A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4560pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 19 ns
Continuous Drain Current (ID) 44A
JEDEC-95 Code TO-247AC
Drain to Source Breakdown Voltage 250V
Recovery Time 290 ns
Height 20.7mm
Width 5.3086mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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