IRFP7537PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N CH 60V 172A TO247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2013
Part Status Active
ECCN Code EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Channels 1
Element Configuration Single
Turn On Delay Time 15 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3m Ω @ 100A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7020pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 210nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 82 ns
Threshold Voltage 3.7V
Height 20.7mm
Width 5.31mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-247-3
Weight 38.000013g
Packaging Tube
Series HEXFET®, StrongIRFET™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Power Dissipation-Max 230W Tc
Power Dissipation 230W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 172A Tc
Rise Time 105ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 84 ns
Continuous Drain Current (ID) 172A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Length 15.87mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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