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IRFR1010ZPBF Technische Spezifikationen

IRFR1010ZPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 140W
Turn On Delay Time 17 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 42A Tc
Rise Time 76ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 42 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Avalanche Energy Rating (Eas) 220 mJ
Height 2.3876mm
Width 6.22mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 55V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 42A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 140W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5m Ω @ 42A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2840pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 48 ns
Continuous Drain Current (ID) 42A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain-source On Resistance-Max 0.0075Ohm
Dual Supply Voltage 55V
Nominal Vgs 4 V
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRFR1010ZPBF Unterlagen

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Die folgenden Teile umfassen  'IRFR1' 

Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRFR1010E I Spezialisierte heiße ICs 10500
IRFR1010Z International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 304
IRFR1010Z MOS IR Spezialisierte heiße ICs 2706
IRFR1010ZPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3249
IRFR1010ZTRL IR Spezialisierte heiße ICs 2734
IRFR1010ZTRLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5252
IRFR1010ZTRLPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRFR1010ZTRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5213
IRFR1010ZTRPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRFR1010ZTRPBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 509

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IRFR1010ZPBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRFR1010ZPBF Referenzpreis. IRFR1010ZPBF Parameter, IRFR1010ZPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFR1010ZPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFR1010ZPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFR1010ZPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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