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IRFR3711TRPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 100A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 14 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Voltage - Rated DC 20V
Terminal Position SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 120W Tc
Power Dissipation 120W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A Tc
Rise Time 220ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 17 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain to Source Breakdown Voltage 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 460 mJ
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 2
Resistance 6.5MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Current Rating 100A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2980pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 12 ns
Continuous Drain Current (ID) 110A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 440A
Height 2.3876mm
Width 6.22mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRFR310 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2431
IRFR310 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 16017
IRFR310 MOS Vishay Precision Group Spezialisierte heiße ICs 2754
IRFR3103 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 22823
IRFR3103TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2715
IRFR3103TRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2709
IRFR3103TRPBF I Spezialisierte heiße ICs 12700
IRFR3103TRR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2650
IRFR310A IR Spezialisierte heiße ICs 4
IRFR310AMTM Original Spezialisierte heiße ICs 3500

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