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IRFR4105TRPBF Technische Spezifikationen

IRFR4105TRPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2005
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 45mOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC 55V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 25A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 68W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45m Ω @ 16A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 40 ns
Continuous Drain Current (ID) 27A
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain Current-Max (Abs) (ID) 20A
Dual Supply Voltage 55V
Recovery Time 86 ns
Height 2.3876mm
Width 2.38mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount, Through Hole
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 48W
Turn On Delay Time 7 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A Tc
Rise Time 49ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 31 ns
Threshold Voltage 4V
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Avalanche Energy Rating (Eas) 65 mJ
Nominal Vgs 4 V
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRFR4105TRPBF Unterlagen

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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRFR410 intersil Spezialisierte heiße ICs 2774
IRFR410 MOS Intersil Spezialisierte heiße ICs 1916
IRFR4100 VB Spezialisierte heiße ICs 5000
IRFR4104 IR Spezialisierte heiße ICs 18873
IRFR4104PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2615
IRFR4104TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2727
IRFR4104TRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 6500
IRFR4104TRLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1126
IRFR4104TRLPBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRFR4104TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 102377

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