IRFR540ZTRLPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2004
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 91W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 28.5m Ω @ 21A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1690pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 34 ns
Continuous Drain Current (ID) 35A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Length 6.7056mm
Radiation Hardening No
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 91W
Turn On Delay Time 14 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 50μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A Tc
Rise Time 42ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 43 ns
JEDEC-95 Code TO-252AA
Drain-source On Resistance-Max 0.0285Ohm
Height 2.26mm
Width 6.22mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRFR5303 IR Spezialisierte heiße ICs 1229
IRFR5305 IR Spezialisierte heiße ICs 5381
IRFR5305 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 11721
IRFR5305CPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10500
IRFR5305CTRPBF VB Spezialisierte heiße ICs 10000
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IRFR5305PBF Infineon Technologies Einzelne MOSFET-Transistoren
IRFR5305PBF MOS IR Spezialisierte heiße ICs 14954
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IRFR5305TR   IR Spezialisierte heiße ICs 5490

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