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IRFS4115-7PPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 150V 105A D2PAK-7

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 7
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 11.8MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 380W
Turn On Delay Time 18 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 105A Tc
Rise Time 50ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 37 ns
Threshold Voltage 5V
Drain to Source Breakdown Voltage 150V
Dual Supply Voltage 150V
Nominal Vgs 5 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 6
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G6
Power Dissipation-Max 380W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.8m Ω @ 63A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5320pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 23 ns
Continuous Drain Current (ID) 105A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 420A
Avalanche Energy Rating (Eas) 230 mJ
Height 4.572mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
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IRFS4010 IR Spezialisierte heiße ICs 578
IRFS4010-7P IR Spezialisierte heiße ICs 925
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