IRFS4410ZPBF Technische Spezifikationen

IRFS4410ZPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Discontinued
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 230W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 97A Tc
Rise Time 52ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 43 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Avalanche Energy Rating (Eas) 242 mJ
Nominal Vgs 4 V
Length 10.668mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 9MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Qualification Status Not Qualified
Power Dissipation-Max 230W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9m Ω @ 58A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4820pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 57 ns
Continuous Drain Current (ID) 97A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 100V
Recovery Time 57 ns
Height 4.826mm
Width 9.65mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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