IRFS4620TRLPBF Technische Spezifikationen

IRFS4620TRLPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 144W
Turn On Delay Time 13.4 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 24A Tc
Rise Time 22.4ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 25.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Height 9.65mm
Width 4.826mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount, Through Hole
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 144W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 77.5m Ω @ 15A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1710pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 14.8 ns
Continuous Drain Current (ID) 24A
Drain-source On Resistance-Max 0.0775Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 100A
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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