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IRFS52N15DPBF
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IRFS52N15DPBF Technische Spezifikationen
IRFS52N15DPBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 52 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2002 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Resistance | 32MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Qualification Status | Not Qualified |
Power Dissipation-Max | 3.8W Ta 230W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32m Ω @ 36A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2770pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 25 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 60A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 30V |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 240A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 470 mJ |
Height | 4.826mm |
Width | 9.65mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 2 |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Voltage - Rated DC | 150V |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 60A |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 320W |
Turn On Delay Time | 16 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 51A Tc |
Rise Time | 47ns |
Vgs (Max) | ±30V |
Turn-Off Delay Time | 28 ns |
Threshold Voltage | 5V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 150V |
Dual Supply Voltage | 150V |
Nominal Vgs | 5 V |
Length | 10.668mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
IRFS52N15DPBF Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für IRFS52N15DPBF
-
Datenblätter
Andere schließen ein "IRFS5" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IRFS5'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IRFS520A | VB | Spezialisierte heiße ICs | 5000 |
IRFS523 | VB | Spezialisierte heiße ICs | 4000 |
IRFS52N15D | IR | Spezialisierte heiße ICs | 32747 |
IRFS52N15D MOS | IR | Spezialisierte heiße ICs | 6972 |
IRFS52N15DPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 4268 |
IRFS52N15DTR | IR | Spezialisierte heiße ICs | 30 |
IRFS52N15DTRLP | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 15417 |
IRFS52N15DTRLP | Infineon Technologies | Einzelne MOSFET-Transistoren | |
IRFS52N15DTRLPBF | IR | Spezialisierte heiße ICs | 2731 |
IRFS52N15DTRRP | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel | 2063 |
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IRFS52N15DPBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRFS52N15DPBF Referenzpreis. IRFS52N15DPBF Parameter, IRFS52N15DPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRFS52N15DPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRFS52N15DPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRFS52N15DPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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