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IRFSL3006PBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 60V 195A TO262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 375W Tc
Power Dissipation 375W
Turn On Delay Time 16 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 195A Tc
Rise Time 182ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 118 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Height 9.65mm
Width 4.826mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 2.5MOhm
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5m Ω @ 170A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8970pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 189 ns
Continuous Drain Current (ID) 270A
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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IRFSL11N50A Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3362
IRFSL11N50A Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 11673
IRFSL11N50APBF Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2564
IRFSL11N50APBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2743
IRFSL17N20D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 495
IRFSL17N20DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2691
IRFSL23N15D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1254
IRFSL23N15DPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2782
IRFSL23N20D International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2745
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