IRFSL3306PBF Technische Spezifikationen

IRFSL3306PBF datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2007
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current Rating 160A
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 230W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 76ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Height 9.65mm
Width 4.826mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Voltage - Rated DC 60V
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Power Dissipation-Max 230W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4520pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 77 ns
Continuous Drain Current (ID) 120A
Drain-source On Resistance-Max 0.0042Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 620A
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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