IRFSL4127PBF Technische Spezifikationen

MOSFET,200V,76A,23.2 MOHM,100 NC QG,TO-262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2008
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 375W
Turn On Delay Time 17 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 72A Tc
Rise Time 18ns
Turn-Off Delay Time 56 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Avalanche Energy Rating (Eas) 250 mJ
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 3
Resistance 22MOhm
Technology MOSFET (Metal Oxide)
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Power Dissipation-Max 375W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22m Ω @ 44A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5380pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 150nC @ 10V
Fall Time (Typ) 22 ns
Continuous Drain Current (ID) 72A
Drain to Source Breakdown Voltage 200V
Height 9.652mm
Width 4.826mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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