IRFSL4310ZPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 120A TO-262

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 15 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2012
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 40
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 250W Tc
Power Dissipation 250W
Turn On Delay Time 20 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 150μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A Tc
Rise Time 60ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 100V
Nominal Vgs 4 V
Length 10.668mm
REACH SVHC No SVHC
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 3
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6m Ω @ 75A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6860pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 57 ns
Continuous Drain Current (ID) 120A
Drain-source On Resistance-Max 0.006Ohm
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 560A
Height 9.65mm
Width 4.826mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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