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IRFZ48NSTRLPBF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne MOSFET-Transistoren
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2001
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Termination SMD/SMT
Resistance 14MOhm
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 30
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Power Dissipation 130W
Turn On Delay Time 12 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 64A Tc
Rise Time 78ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 34 ns
Continuous Drain Current (ID) 64A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Dual Supply Voltage 55V
Nominal Vgs 4 V
Length 10.668mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Active
Number of Terminations 2
ECCN Code EAR99
Terminal Finish Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
Voltage - Rated DC 55V
Terminal Form GULL WING
Current Rating 64A
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Power Dissipation-Max 3.8W Ta 130W Tc
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14m Ω @ 32A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1970pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 50 ns
Reverse Recovery Time 100 ns
Threshold Voltage 4V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
Recovery Time 100 ns
Height 4.826mm
Width 9.65mm
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead, Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRFZ40 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 60596
IRFZ40 Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2348
IRFZ40PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3027
IRFZ40PBF Vishay / Siliconix Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 10276
IRFZ40PBF Vishay Siliconix Einzelne MOSFET-Transistoren
IRFZ42 ST Spezialisierte heiße ICs 2584
IRFZ42N IR Spezialisierte heiße ICs 2637
IRFZ44 SEC Spezialisierte heiße ICs 5441
IRFZ44 MOS IR Spezialisierte heiße ICs 746
IRFZ44/IRFZ44N IR Spezialisierte heiße ICs 85308

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