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IRG4BC10S
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IRG4BC10S Technische Spezifikationen
IRG4BC10S datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2007 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
Terminal Position | SINGLE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Case Connection | COLLECTOR |
Power - Max | 38W |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Current - Collector (Ic) (Max) | 14A |
Test Condition | 480V, 8A, 100 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 1780 ns |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 18A |
Switching Energy | 140μJ (on), 2.58mJ (off) |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-220-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOW CONDUCTION LOSS |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Turn On Time | 106 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 8A |
Gate Charge | 15nC |
Td (on/off) @ 25°C | 25ns/630ns |
RoHS Status | Non-RoHS Compliant |
IRG4BC10S Unterlagen
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation herunter für IRG4BC10S
-
Datenblätter
Andere schließen ein "IRG4B" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IRG4B'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IRG4B50W | IR | Spezialisierte heiße ICs | 1084 |
IRG4BAC50W-S | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - IGBTs - Einzel | 658 |
IRG4BAC50W-S | Infineon Technologies | Einzelne IGBTs | |
IRG4BAC50W-SPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - IGBTs - Einzel | 2786 |
IRG4BAC50W-SPBF | Infineon Technologies | Einzelne IGBTs | |
IRG4BC10K | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - IGBTs - Einzel | 780 |
IRG4BC10K | Infineon Technologies | Einzelne IGBTs | |
IRG4BC10KD | IR | Spezialisierte heiße ICs | 92380 |
IRG4BC10KDPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - IGBTs - Einzel | 2698 |
IRG4BC10KDPBF | Infineon Technologies | Einzelne IGBTs |
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IRG4BC10S Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRG4BC10S Referenzpreis. IRG4BC10S Parameter, IRG4BC10S Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRG4BC10S Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRG4BC10S Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRG4BC10S Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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