IRG4BC30K-SPBF Technische Spezifikationen

IRG4BC30K-SPBF datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package D2PAK
Packaging Tube
Part Status Obsolete
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 28A
Element Configuration Single
Input Type Standard
Rise Time 28ns
Max Collector Current 28A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Collector Emitter Saturation Voltage 2.7V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 16A
Current - Collector Pulsed (Icm) 56A
Switching Energy 360μJ (on), 510μJ (off)
RoHS Status RoHS Compliant
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Min Operating Temperature -55°C
Max Power Dissipation 100W
Base Part Number IRG4BC30K-SPBF
Power Dissipation 100W
Power - Max 100W
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2.7V
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 28A
Test Condition 480V, 16A, 23Ohm, 15V
Gate Charge 67nC
Td (on/off) @ 25°C 26ns/130ns
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
IRG4B50W IR Spezialisierte heiße ICs 1084
IRG4BAC50W-S International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 658
IRG4BAC50W-S Infineon Technologies Einzelne IGBTs
IRG4BAC50W-SPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 2786
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