IRG4IBC20FDPBF Technische Spezifikationen

IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Mounting Type Through Hole
Number of Pins 3
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2000
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Voltage - Rated DC 600V
Current Rating 14.3A
Element Configuration Single
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Max Collector Current 14.3A
JEDEC-95 Code TO-220AB
Collector Emitter Saturation Voltage 2V
Test Condition 480V, 9A, 50 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 610 ns
Current - Collector Pulsed (Icm) 64A
Switching Energy 250μJ (on), 640μJ (off)
Gate-Emitter Thr Voltage-Max 6V
Length 10.7442mm
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Through Hole
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tube
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 3
Subcategory Insulated Gate BIP Transistors
Max Power Dissipation 34W
Number of Elements 1
Power Dissipation 34W
Input Type Standard
Rise Time 20ns
Collector Emitter Voltage (VCEO) 2V
Reverse Recovery Time 37 ns
Collector Emitter Breakdown Voltage 600V
Turn On Time 63 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 9A
Gate Charge 27nC
Td (on/off) @ 25°C 43ns/240ns
Gate-Emitter Voltage-Max 20V
Height 16.129mm
Width 4.826mm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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IRG4IBC10UD International Rectifier (Infineon Technologies) Transistoren - IGBTs - Einzel 25478
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IRG4IBC20KD Infineon Technologies Einzelne IGBTs

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