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IRG4IBC20FDPBF
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IRG4IBC20FDPBF Technische Spezifikationen
IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiter / Einzelne IGBTs |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 16 Weeks |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2000 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Voltage - Rated DC | 600V |
Current Rating | 14.3A |
Element Configuration | Single |
Case Connection | ISOLATED |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Max Collector Current | 14.3A |
JEDEC-95 Code | TO-220AB |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2V |
Test Condition | 480V, 9A, 50 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 610 ns |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 64A |
Switching Energy | 250μJ (on), 640μJ (off) |
Gate-Emitter Thr Voltage-Max | 6V |
Length | 10.7442mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Part Status | Last Time Buy |
Number of Terminations | 3 |
Subcategory | Insulated Gate BIP Transistors |
Max Power Dissipation | 34W |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 34W |
Input Type | Standard |
Rise Time | 20ns |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 2V |
Reverse Recovery Time | 37 ns |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Turn On Time | 63 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 9A |
Gate Charge | 27nC |
Td (on/off) @ 25°C | 43ns/240ns |
Gate-Emitter Voltage-Max | 20V |
Height | 16.129mm |
Width | 4.826mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
IRG4IBC20FDPBF Unterlagen
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Datenblätter
Andere schließen ein "IRG4I" Teile
Die folgenden Teile umfassen 'IRG4I'
Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
IRG4IBC10UD | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - IGBTs - Einzel | 25478 |
IRG4IBC10UD | Infineon Technologies | Einzelne IGBTs | |
IRG4IBC10UDPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - IGBTs - Einzel | 9972 |
IRG4IBC10UDPBF | Infineon Technologies | Einzelne IGBTs | |
IRG4IBC10UDPBF. | IR | Spezialisierte heiße ICs | 9607 |
IRG4IBC20FD | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - IGBTs - Einzel | 20000 |
IRG4IBC20FD | Infineon Technologies | Einzelne IGBTs | |
IRG4IBC20FDPBF | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - IGBTs - Einzel | 2660 |
IRG4IBC20KD | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistoren - IGBTs - Einzel | 51806 |
IRG4IBC20KD | Infineon Technologies | Einzelne IGBTs |
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IRG4IBC20FDPBF Markenhersteller: Infineon Technologies, Bonchip Aktie, IRG4IBC20FDPBF Referenzpreis. IRG4IBC20FDPBF Parameter, IRG4IBC20FDPBF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden IRG4IBC20FDPBF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden IRG4IBC20FDPBF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, IRG4IBC20FDPBF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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